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Eletrônica

Redação do Site Inovação Tecnológica -  07/03/2019

O material orgânico (azobenzeno) induz uma alteração reversível no material inorgânico (molibdenita). [Imagem: D. Meneses-Gustin (2018)]

Componentes optoeletrônicos

Que a molibdenita supera o silício e o grafeno na eletrônica é algo que se sabe há muito tempo.

Passar dos laboratórios para as fábricas é outra conversa, não se sabendo ainda quem vencerá essa corrida - ou mesmo se grafeno e molibdenita caminharão juntos rumo à eletrônica ultrafina.

Um outro exemplo dos ganhos obtidos com a mesclagem de materiais monoatômicos acaba de ser dado por uma equipe de pesquisadores da USP de São Carlos.

Diana Gustin, Luís Cabral e seus colegas sintetizaram um composto capaz de funcionar como um transístor fotônico misturando camadas monoatômicas de molibdenita (MoS₂) com o material orgânico azobenzeno (C₁₂H₁₀N₂).

A incidência de luz faz a molécula de azobenzeno mudar da configuração espacial cis para a configuração espacial trans, o que induz efeitos na nuvem de elétrons da monocamada de bissulfeto de molibdênio.

E esses efeitos são reversíveis, indicando que o material híbrido orgânico-inorgânico poderá ser usado para a construção de um transístor bidimensional ativado por luz.

Molibdenita melhor que grafeno

A fabricação de um protótipo desse componente optoeletrônico já está nos planos da equipe, lembrando que um transístor optoeletrônico pode funcionar como um neurônio.

"A estrutura quase bidimensional torna o bissulfeto de molibdênio tão atrativo quanto o grafeno em termos de redução do espaço e maleabilidade. Mas ele possui virtudes que, potencialmente, o tornam ainda melhor. É um semicondutor com propriedades parecidas com as do grafeno quanto à condutividade elétrica. E é opticamente mais versátil, porque emite luz na faixa de frequências do infravermelho ao visível," disse o professor Victor Richard.

• Intel rende-se à molibdenita rumo à era pós-silício

Bibliografia:

Photomodulation of transport in monolayer dichalcogenides
Diana Meneses Gustin, Luís Cabral, Matheus P. Lima, Juarez L. F. Da Silva, Emanuela Margapoti, Sergio E. Ulloa, Gilmar E. Marques, Victor Lopez-Richard
Physical Review B
Vol.: 10.1103/PhysRevB.98.241403
DOI: 98, 241403